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半導體封裝材料測試系統

電場(chǎng)介電損耗，漏電流測試系統 TSDC測試系統高低溫絕緣電阻測試系統真空探針臺

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半導體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統

更新時(shí)間：2024-12-17

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HC-TSC功率器件有機材料環(huán)氧樹(shù)脂TSDC測試系統

更新時(shí)間：2024-12-23

型號：HC-TSC

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功率器件有機材料環(huán)氧樹(shù)脂TSDC測試系統熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過(guò)程，在該過(guò)程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。
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HC-TSC半導體封裝材料高壓TSDC測試系統

更新時(shí)間：2024-12-23

型號：HC-TSC

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半導體封裝材料高壓TSDC測試系統熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過(guò)程，在該過(guò)程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。
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電氣絕緣材料高電場(chǎng)介電、損耗測試系統

更新時(shí)間：2025-07-04

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電氣絕緣材料高電場(chǎng)介電、損耗測試系統可實(shí)現從低頻到高頻信號的輸出與測量，系統由工控機發(fā)出指令，單片機控制FPGA發(fā)出測量波形，FPGA一路信號控制不同頻率幅值的信號由高壓放大器進(jìn)行電壓放大后，施加在樣品上，另一路施加在鎖相放大器作為參考信號，不同頻率幅值的高壓信號加載樣樣品上，樣品測量的信號測量后，再回傳FPGA測試板卡。測量的數據再由單片機回傳工控機進(jìn)行數據處理。
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MLCC高壓電容器高電場(chǎng)介電損耗電滯回線(xiàn)系統

更新時(shí)間：2025-07-04

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高電場(chǎng)介電、損耗、漏電流測試系統

更新時(shí)間：2024-12-30

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高電場(chǎng)介電、損耗、漏電流測試系統可實(shí)現從低頻到高頻信號的輸出與測量，系統由工控機發(fā)出指令，單片機控制FPGA發(fā)出測量波形，FPGA一路信號控制不同頻率幅值的信號由高壓放大器進(jìn)行電壓放大后，施加在樣品上，另一路施加在鎖相放大器作為參考信號，不同頻率幅值的高壓信號加載樣樣品上，樣品測量的信號測量后，再回傳FPGA測試板卡。測量的數據再由單片機回傳工控機進(jìn)行數據處理。
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SIR-450半導體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統

更新時(shí)間：2024-12-23

型號：SIR-450

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半導體封裝材料高低溫絕緣電阻測試系統高低溫環(huán)境下的絕緣電阻測試技術(shù)用于預測EMC的HTRB性能。電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，高分子聚合物材料在高溫環(huán)境下具有負阻性的特征，電阻（率）隨著(zhù)溫度的上升而下降，HTRB性能之間的相關(guān)性表明，隨著(zhù)溫度的上升電阻率越下降嚴重，而HTRB性能越差，因此，材料的電阻率是HTRB失效測量的一個(gè)關(guān)鍵測量手段。
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HC-TSC半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統

更新時(shí)間：2024-12-23

型號：HC-TSC

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半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試系統熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過(guò)程，在該過(guò)程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。
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