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簡(jiǎn)要描述：華測半導體封裝材料高低溫真空探針臺，溫度范圍77K-675K(液氮)；可應用于真空及常規環(huán)境；超高溫度分辨率；特殊客制低溫系統；具有較好穩定性
產(chǎn)品型號：廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家更新時(shí)間：2024-12-12訪(fǎng) 問(wèn) 量：1829產(chǎn)品分類(lèi)
Product Category詳細介紹
| 品牌 | HUACE/北京華測 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國產(chǎn) |
|---|---|---|---|
| 應用領(lǐng)域 | 化工,能源,電子/電池,電氣,綜合 |
Huace HT-11高低溫真空探針臺
華測半導體封裝材料高低溫真空探針臺
華測半導體封裝材料高低溫真空探針臺特點(diǎn)/應用
◆ 2至6英寸樣品臺
◆ 高真空腔體
◆ 防輻射屏設計，樣品溫度均勻性更好
◆ 77K-675K高低溫環(huán)境
◆ 兼容IV/CV/RF測試
◆ 外置多探針臂，移動(dòng)行程大
◆ 經(jīng)濟實(shí)用，可無(wú)縫升級
華測半導體封裝材料高低溫真空探針臺極低溫測試:
因為晶圓在低溫大氣環(huán)境測試時(shí)，空氣中的水汽會(huì )凝結在晶圓上，會(huì )導致漏電過(guò)大或者探針無(wú)法接觸電極而使測試失敗。避免這些需要把真空腔內的水汽在測試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測試過(guò)程泵的運轉。
高溫無(wú)氧化測試：
當晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時(shí)，氧化現象會(huì )越來(lái)越明顯，并且溫度越高氧化越嚴重。過(guò)度氧化會(huì )導致晶圓電性誤差，物理和機械形變。避免這些需要把真空腔內的氧氣在測試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測試過(guò)程泵的運轉。
晶圓測試過(guò)程中溫度在低溫和高溫中變換，因為熱脹冷縮現象，定位好的探針與器件電極間會(huì )有相對位移，這時(shí)需要針座的重新定位，針座位于腔體外部。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動(dòng)化針座來(lái)調整探針的位置。
華測半導體封裝材料高低溫真空探針臺技術(shù)參數：
腔體規格 | |
樣品臺尺寸 | 2英寸/4英寸/6英寸 |
樣品固定 | 彈簧壓片 |
觀(guān)察窗口 | 2英寸/4英寸/6英寸 |
真空度 | 10-6torr |
探針臂接口 | 4~6個(gè)探針臂接口 |
其他接口 | 電信接口、真空接口、光纖接口、冷源接口 |
制冷方式 | 液氮/液氦/制冷機 |
溫度范圍 | 77K到573K/4.5K到573K |
溫控精度 | 0.1K/0.01K/0.001K |
穩定性 | ±1K/±0.1K/±0.01K外形 |
外形 | 880mm長(cháng)*880mm寬*600mm高/980mm長(cháng)*980mm寬*600mm高 |
重量 | 約20KG/30KG |
光學(xué)系統 | |
顯微鏡類(lèi)型 | 單筒顯微鏡/體式顯微鏡/金相顯微鏡 |
放大倍率 | 16X-200X/20X-4000X |
移動(dòng)行程 | 水平360度旋轉，Z軸行程50.8mm |
光源 | 外置LED環(huán)形光源/同軸光源 |
CCD | 200萬(wàn)像素/500萬(wàn)像素/1200萬(wàn)像素 |
探針臂 | |
X-Y-Z移動(dòng)行程 | 50mm*50mm*50mm |
結構 | 外置探針臂，真空波紋管結構 |
移動(dòng)精度 | 10微米/1微米 |
線(xiàn)纜 | 同軸線(xiàn)/三軸線(xiàn)/射頻線(xiàn) |
漏電精度 | 10pA/100fA/10fA |
固定探針 | 彈簧固定/管狀固定 |
接頭類(lèi)型 | BNC/三軸/香蕉頭/鱷魚(yú)夾/接線(xiàn)端子 |
頻率支持 | DC-67GHZ |
針尖直徑 | 0.5微米/1微米/2微米/5微米/10微米/20微米 |
其他組件 | |
真空組件 | 分子泵組/機械泵/離子泵 |
冷源組件 | 50L/100L液氮罐/液氦罐/制冷機 |
可選附件：
超高溫配件；
顯示器；
轉接頭；
射頻測試配件；
屏蔽箱；
光學(xué)平臺；
鍍金卡盤(pán)；
光電測試配件；
高壓測試配件；
分子泵組；
激光系統；
氣敏測試配件；
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