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  • HCJDCS-A高頻介電常數介質(zhì)損耗測試儀
    HCJDCS-A高頻介電常數介質(zhì)損耗測試儀

    更新時(shí)間:2023-08-22

    型號:HCJDCS-A

    瀏覽量:1373

    高頻介電常數介質(zhì)損耗測試儀能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線(xiàn)的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機關(guān)、學(xué)校、工廠(chǎng)等單位。主要用于測量玻璃、陶瓷等材料在高頻信號下的介損、介電常數。
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  • Huace-991導電防靜電材料體積電阻率測試儀
    Huace-991導電防靜電材料體積電阻率測試儀

    更新時(shí)間:2024-08-30

    型號:Huace-991

    瀏覽量:1555

    導電防靜電材料體積電阻率測試儀: 在測量導電材料電阻率若采用三電極或二電極測量時(shí)會(huì )因為電極與被測量材料表面電阻而影響測量準確性,本裝置采用四電極(四點(diǎn)探針或四探針)法測量導電和防靜電材料體積電阻率,可以克服表面接觸電阻造成的誤差影響。
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  • Huace-991導電塑料體積電阻率試驗儀器
    Huace-991導電塑料體積電阻率試驗儀器

    更新時(shí)間:2023-12-19

    型號:Huace-991

    瀏覽量:1584

    導電塑料體積電阻率試驗儀器: 在測量導電材料電阻率若采用三電極或二電極測量時(shí)會(huì )因為電極與被測量材料表面電阻而影響測量準確性,本裝置采用四電極(四點(diǎn)探針或四探針)法測量導電和防靜電材料體積電阻率,可以克服表面接觸電阻造成的誤差影響。
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  • 高溫四探針測量系統Huace-600測試儀器
    高溫四探針測量系統Huace-600測試儀器

    更新時(shí)間:2023-12-01

    型號:

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    操控性好高溫四探針測量系統Huace-600測試儀器,該系統可以測量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻 以及測量導電玻璃(ITO)和其它導電薄膜的方塊電阻,該設備按照單晶硅物理測試方法標準設計的。
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  • 精度高高溫直流電阻率測試系統HCGR-12KV
    精度高高溫直流電阻率測試系統HCGR-12KV

    更新時(shí)間:2023-08-29

    型號:

    瀏覽量:2363

    精度高高溫直流電阻率測試系統HCGR-12KV: 1、采用超低紋波系數高壓直流電源,保證測試電壓的穩定度。 2、采用保障試驗人員及試驗設備的; 3、采用吉時(shí)利6585皮安表采集電流,采集精度高,量程自動(dòng)跟隨與切換,可以實(shí)時(shí)采集電壓、電流、電阻曲線(xiàn); 4、具備升壓、恒壓等功能于一體,對于研究常溫與高溫下材料的電阻率極為方便
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  • 高溫直流電阻率測試系統HCGR-12KV-北京華測
    高溫直流電阻率測試系統HCGR-12KV-北京華測

    更新時(shí)間:2023-08-29

    型號:

    瀏覽量:2521

    高溫直流電阻率測試系統HCGR-12KV-北京華測采集范圍: ●GB/T 10581-2006 絕緣材料在高溫下電阻和電阻率的試驗方法 ●DL/T 810-2002 ±500kV直流棒形懸式復合絕緣子技術(shù)條件
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  • 時(shí)間自由設定高溫直流電阻率測試系統
    時(shí)間自由設定高溫直流電阻率測試系統

    更新時(shí)間:2023-08-29

    型號:

    瀏覽量:2349

    時(shí)間自由設定高溫直流電阻率測試系統設備優(yōu)勢: 1、采用超低紋波系數高壓直流電源,保證測試電壓的穩定度。 2、保障試驗人員及試驗設備的; 3、采用吉時(shí)利6585皮安表采集電流,采集精度高,量程自動(dòng)跟隨與切換,可以實(shí)時(shí)采集電壓、電流、電阻曲線(xiàn); 4、具備升壓、恒壓等功能于一體,對于研究常溫與高溫下材料的電阻率極為方便;
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  • 自動(dòng)歸零高溫直流電阻率測試系統
    自動(dòng)歸零高溫直流電阻率測試系統

    更新時(shí)間:2024-06-13

    型號:

    瀏覽量:2384

    自動(dòng)歸零高溫直流電阻率測試系統適合范圍: ●GB/T 10581-2006 絕緣材料在高溫下電阻和電阻率的試驗方法 ●DL/T 810-2002 ±500kV直流棒形懸式復合絕緣子技術(shù)條件
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