半導體封裝材料高電氣絕緣材料高壓TSDC測試系統的產(chǎn)品原理

TSDC是一種研究電荷存儲特性的實(shí)驗技術(shù)，用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫，該方法包括一個(gè)極化過(guò)程，其中介電樣品在高溫下暴露于高電場(chǎng)強度下。在此之后，試樣在外加電場(chǎng)的作用下迅速進(jìn)行冷卻。以這種方式，電荷被分離并固定在介電材料駐極體內。然后進(jìn)行升溫將駐極體內的電荷進(jìn)行釋放，同時(shí)配合測量?jì)x器進(jìn)行測量，并為科研人員進(jìn)行分析。通過(guò)TSDC測試方法研究了EMC對功率半導體HTRB可靠性的影響，了解到EMC在高溫、高壓條件下會(huì )發(fā)生電極化或電取向。此外，依賴(lài)于在相應的冷卻環(huán)境中維持其極化狀態(tài)，它會(huì )干擾MOS-FET半導體中反轉層的正常形成。通過(guò)TSDC試驗，我們還了解了在可靠性測試中由于應用條件而導致的材料內部極化電荷的數量也是一個(gè)重要的影響因素。

HC-TSC熱激勵去極化電流測量系統應用：廣泛應用于電力、絕緣、生物分子等材料領(lǐng)域，用于研究材料性能的一些關(guān)鍵因素，諸如分子弛豫、相轉變、玻璃化溫度等等，通過(guò)TSDC電流也可以比較直觀(guān)的研究材料的弛豫時(shí)間、活化能等相關(guān)的介電特性。TSDC電流也可以比較直觀(guān)的研究材料的弛豫時(shí)間、活化能等相關(guān)的介電特性。