在電場(chǎng)作用下，能產(chǎn)生化的切物質(zhì)又被稱(chēng)之為電介質(zhì)。電介質(zhì)在電子工業(yè)中用來(lái)做集成電路的基板、電容器等。如果將塊電介質(zhì)放入平行電場(chǎng)中，則可發(fā)現在介質(zhì)表面感應出了電荷，即正板附近的電介質(zhì)感應出了負電荷，負板附近的介質(zhì)表面感應出正電荷。這種電介質(zhì)在電場(chǎng)作用下產(chǎn)生感生電荷的現象，稱(chēng)之為電介質(zhì)的化。感應電荷產(chǎn)生的原因在于眾質(zhì)內部質(zhì)點(diǎn)（原子、分子、離子）在電場(chǎng)作用下正負電荷重心的分離，變成了偶攜粒不同的偶板子有不同的電偶矩，電偶矩的方向寫(xiě)外電致。
基本概念：
介電常數：以絕緣材料為介質(zhì)與以真空為介質(zhì)制成同尺寸電容器的電容量之比值。
表示在單位電場(chǎng)中，單位體積內積蓄的靜電能量的大小。是表征電介質(zhì)化并儲存電荷的能力，是個(gè)宏觀(guān)物理量。
介質(zhì)損耗 置于交流電場(chǎng)中的介質(zhì)，以?xún)炔堪l(fā)熱（溫度升高）形式表現出來(lái)的能量損耗。
介質(zhì)損耗角對電介質(zhì)施加交流電壓，介質(zhì)內部流過(guò)的電流相量與電壓相量之間的夾角的余角。
介質(zhì)損耗角正切對電介質(zhì)施以正弦波電壓，外施電壓與相同頻率的電流之間相角的余角5的正切值--tg6。
其物理意義是：
影響因素
（1）濕度 材料的性越強受濕度的影響越明顯。主要原因是高濕的作用，使水分子擴散到高分子的分子間，使其性增加；同時(shí)，潮濕的空氣作用于塑料表面，幾乎是在幾分鐘內就使介質(zhì)表面形成個(gè)水膜層，它具有離子性質(zhì)，增加表面電導。因此，材料的介電常數和介質(zhì)損耗角正切都隨之增加.
試樣的狀態(tài)調節和測試都應在標準環(huán)境。
（2）溫度
（3）測試電壓 板狀試樣：電壓2KV影響不大，過(guò)高則增加附加損耗。
薄膜：電壓低于500V。過(guò)大使介質(zhì)損耗角正切明顯增加.
（3）測試用接觸電
高頻下，電的附加損耗變大，因而電材料本身的電阻定要小。
相比漏電起痕指數（CTI)
材料表面能經(jīng)受住50滴電解液而沒(méi)有形成漏電痕跡的高電壓值，以伏（v）為單位。
耐漏電起痕指數（PTI)
材料表面能經(jīng)受住50滴電解液而沒(méi)有形成漏電痕跡的耐電壓值，以伏（v）為單位。
試樣應水平放置在支撐板上，按圖將電裝好，并施加1N的壓力，用量規檢查兩電間的距離為4.0土0.1mm。先對兩電加25v倍數的適當電壓，調整可變電阻，使電短路電流為1.0±0.1A。在兩電供電下，以30±5s的時(shí)間間隔下將電解液液滴滴入兩電間的試樣上，直到試樣發(fā)生破壞或滴下50滴為止。
試樣發(fā)生以下兩種情況之視為破壞：
（1）試樣表面兩電間的導電通路電流達0.5A以上，且過(guò)流繼電器延時(shí)2s發(fā)生動(dòng)作； （2）雖過(guò)流繼電器未發(fā)生動(dòng)作，但試樣燃燒了
影響因素
（1）試樣表面狀態(tài) 表面應清潔，無(wú)灰塵、臟物、指印、油脂、脫模劑或其他影響結果的污物。表面污染易使電間的試樣產(chǎn)生漏痕，因此試驗應對試樣表面進(jìn)行清潔處理。
（2）試驗點(diǎn)間距選擇 如果在同片試樣上做多點(diǎn)試驗，則應注意試驗點(diǎn)之間要有足夠的距離。該間距的大小應選在次試驗后飛濺出的污物所污染的部分以外，否則使結果發(fā)生偏差。
（3）環(huán)境條件的影響 除保持溫度在23?℃條件下試驗外，還應注意周?chē)目諝獗M量不要流動(dòng)?？諝獾牧鲃?dòng)導致液滴落點(diǎn)的偏離，這是試驗所不允許的。因而試驗時(shí)，電和樣品系統放在個(gè)密封章內進(jìn)行。
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