可評估薄膜導電的高溫四探針測試儀采用直排四探針?lè )ㄔO計原理測量。主要用于評估半導體薄膜和薄片的導電，參考美國 A.S.T.M 標準設計。重復性與穩定性好，采用雙屏蔽高頻測試線(xiàn)纜，提高測試參數的精確度，同時(shí)。本設備也可應用于產(chǎn)品檢測以及新材料電學(xué)研究等用途。

高溫四探針測試儀的測量原理：

• 測量電阻率的方法很多，如三探針?lè )?、電?/span>-電壓法、擴展電阻法等，四探針?lè )▌t是一種廣泛采用的標準方法，高溫四探針測試儀采用經(jīng)典直排四探針原理，同時(shí)采用了雙電測組合四探針?lè )ā?/span>

• 經(jīng)典的直排四探針?lè )y試電阻率，要求使用等間距的探針，如果針間距離不等或探針有游移，就會(huì )造成實(shí)驗誤差。當被測片較小或在大片邊緣附近測量時(shí)，要求計入電場(chǎng)畸變的影響進(jìn)行邊界修正。

• 采用雙電測組合四探針的出現，為提高薄膜電阻和體電阻率測量準確度創(chuàng )造了有利條件。

高溫四探針測試儀采用雙電測組合四探針?lè )ǖ膬?yōu)勢：

可按用戶(hù)要求訂制非標產(chǎn)品

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