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存儲器及其分類(lèi)

更新時(shí)間:2021-03-17      點(diǎn)擊次數:1372

存儲器

存儲器從一開(kāi)始發(fā)展就受到了人們很多的關(guān)注。其一,它的集成度和集成電路的工藝技術(shù)都代表著(zhù)當代的*高水平;其二,半導體存儲器的產(chǎn)量是*大的,并且使用面在整個(gè)集成電路家族中也是*廣。

數字存儲器發(fā)展到了今天,已經(jīng)有了很多不同的種類(lèi),其中占主導地位的是DRAMdynamic random access memories),而人們視線(xiàn)*集中的就是近幾年有著(zhù)快速發(fā)展的FRAM。隨著(zhù)各種技術(shù)在電子信息技術(shù)領(lǐng)域的迅速發(fā)展,人們對高的存儲器的需求也隨之變大。一種的存儲器成為這個(gè)領(lǐng)域*具有發(fā)展潛力的產(chǎn)品,它有著(zhù)十分快速的寫(xiě)入速度,并且有著(zhù)功耗低、操作電壓低、讀寫(xiě)次數不受限制以及抗輻射等非常*的。

它就是鐵電存儲器——被譽(yù)為存儲器*。它可以在芯片電源忽然斷開(kāi)的情況下也可保留存儲在存儲器中的信息[1]。這種技術(shù)在領(lǐng)域,可用于手機、PDA和衛星通信系統等。

在低端的技術(shù)領(lǐng)域,鐵電存儲器已經(jīng)大量應用于smart card、nmp3和各類(lèi)播放器中。

存儲器的分類(lèi)

傳統的主流半導體存儲器可以分為兩類(lèi):易失性存儲器RAM(Random Access Memory)和非易失性存儲器PRAMPhase-change Random Access memory)。易失性存儲器RAMRandomAccess Memory)的全名為隨機存取記憶體,它在任何時(shí)刻都是可以讀寫(xiě)的,RAM一般是作為操作系統或者其它正在運行的程序臨時(shí)的存儲地點(diǎn)(可稱(chēng)作內存)。它的功能就相當于計算機上的移動(dòng)存儲設備,用來(lái)保存數據的。RAM型存儲器有著(zhù)使用方便,高的優(yōu)點(diǎn),但缺點(diǎn)也很明顯,就是當系統電源突然斷開(kāi)的時(shí)候,系統將無(wú)法保存數據。如果想要需要保存數據的話(huà),就必須把它們寫(xiě)入到一個(gè)長(cháng)期的存儲器中(例如硬盤(pán))。這也就是RAM被稱(chēng)作可變存儲器的原因。

而另外一種非易失性存儲器(nonvolatile memory)則不存在突然斷電丟失數據的問(wèn)題,也不用定期地刷新存儲器內容。這包括形式的只讀存儲器(ROM),在這之中包括可編程只讀存儲器(PROM)、可擦可編程只讀存儲器(EPROM)、可擦除只讀存儲器(EEPROM)和閃存。它也包括電池供電的隨機存取儲存器(RAM)。只讀存儲器(ROM)技術(shù)幾乎都來(lái)自于主流的非易失性存儲器的技術(shù)。正如字面上的意思一樣,被稱(chēng)為只讀存儲器(ROM)就肯定不容易進(jìn)行寫(xiě)入操作,在實(shí)際的情況下只讀存儲器(ROM)是根本不能寫(xiě)入[2-3]。由ROM技術(shù)研究開(kāi)發(fā)出的存儲器也都具有進(jìn)行寫(xiě)入操作困難的弊端。這些技術(shù)包括有EPROM、EEPROMFhsh。這些存儲器不但寫(xiě)入速度慢,寫(xiě)入時(shí)功耗也很大,而且只能擦寫(xiě)有限的次數。

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