高溫四探針測試儀測試電阻率的原理和方法

高溫四探針測試儀可以實(shí)現高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃（ITO）和其他導電薄膜的方塊電阻。

高溫四探針測試儀的測量原理

1. 測量電阻率的方法很多，如三探針?lè )?、電?/span>-電壓法、擴展電阻法等，四探針?lè )▌t是一種廣泛采用的標準方法，高溫四探針測試儀采用經(jīng)典直排四探針原理，同時(shí)采用了雙電測組合四探針?lè )ā?/span>
2. 經(jīng)典的直排四探針?lè )y試電阻率，要求使用等間距的探針，如果針間距離不等或探針有游移，就會(huì )造成實(shí)驗誤差。當被測片較小或在大片邊緣附近測量時(shí)，要求計入電場(chǎng)畸變的影響進(jìn)行邊界修正。

      3.采用雙電測組合四探針的出現，為提高薄膜電阻和體電阻率測量準確度創(chuàng )造了有利條件。

高溫四探針測試儀采用雙電測組合四探針?lè )ǖ膬?yōu)勢

1. 采用雙電測組合四探針?lè )ㄟM(jìn)行測試，測試結果與探針間距無(wú)關(guān)，能夠消除間距不等及針尖機械游移變化的影響，因此四探針測試臺允許使用不等距探針頭。
2. 采用雙電測組合四探針?lè )ň哂凶詣?dòng)修正邊界效應的功能，對小尺寸被側片或探針在較大樣品邊緣附近時(shí)，不需要對樣品做幾何測量，也不需要尋找修正因子。
3. 采用雙電測組合四探針?lè )?，不移?dòng)四探針針頭，同時(shí)使用三種模式測量，既可計算得到測試部位的電阻均勻性。